IXFL82N60P

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans MOSFET N-CH 600V 55A 3Pin3+Tab ISOPLUS 264

通孔 N 通道 600 V 55A（Tc） 625W（Tc） ISOPLUS264™

得捷:
MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS264

贸泽:
MOSFET 82 Amps 600V 0.78 Ohm Rds

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 55A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 264

IXFL82N60P中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 78 mΩ

耗散功率 625 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 23000pF @25VVds

下降时间 24 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 625W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-264-3

外形尺寸

长度 20.29 mm

宽度 5.21 mm

高度 26.42 mm

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFL82N60P引脚图与封装图

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