
通道数 1
极性 P-CH
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 26A
上升时间 33 ns
输入电容Ciss 2740pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
宽度 9.65 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXTA26P20P | IXYS Semiconductor | D2PAK P-CH 200V 26A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXTA26P20P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-263-3 P-CH 200V 26A | 当前型号 | D2PAK P-CH 200V 26A | 当前型号 | |
型号: IXTP26P20P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-220 P-CH 200V 26A | 完全替代 | IXTP 系列 单 P 沟道 200 V 170 mOhm 300 W 功率 Mosfet - TO-220 | IXTA26P20P和IXTP26P20P的区别 | |
型号: IXTH26P20P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 | 类似代替 | Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3Pin3+Tab TO-247 | IXTA26P20P和IXTH26P20P的区别 | |
型号: IXTQ26P20P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-3P-3 | 功能相似 | P沟道 200V 26A | IXTA26P20P和IXTQ26P20P的区别 |