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IXTA26P20P

IXTA26P20P

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

D2PAK P-CH 200V 26A

表面贴装型 P 通道 26A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)


得捷:
MOSFET P-CH 200V 26A TO263


立创商城:
IXTA26P20P


艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of Ixys Corporation&s;s IXTA26P20P power MOSFET. Its maximum power dissipation is 300000 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin2+Tab TO-263


Verical:
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin2+Tab D2PAK


DeviceMart:
MOSFET P-CH 200V 26A TO-263


IXTA26P20P中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 P-CH

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 26A

上升时间 33 ns

输入电容Ciss 2740pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

宽度 9.65 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTA26P20P引脚图与封装图
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在线购买IXTA26P20P
型号 制造商 描述 购买
IXTA26P20P IXYS Semiconductor D2PAK P-CH 200V 26A 搜索库存
替代型号IXTA26P20P
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXTA26P20P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-263-3 P-CH 200V 26A

当前型号

D2PAK P-CH 200V 26A

当前型号

型号: IXTP26P20P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-220 P-CH 200V 26A

完全替代

IXTP 系列 单 P 沟道 200 V 170 mOhm 300 W 功率 Mosfet - TO-220

IXTA26P20P和IXTP26P20P的区别

型号: IXTH26P20P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3

类似代替

Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3Pin3+Tab TO-247

IXTA26P20P和IXTH26P20P的区别

型号: IXTQ26P20P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-3P-3

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