IXFA3N80
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFA3N80中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 100W Tc
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 3.6A
输入电容Ciss 685pF @25VVds
耗散功率Max 100W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFA3N80引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IXFA3N80
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFA3N80 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 N-CH 800V 3.6A | 当前型号 | D2PAK N-CH 800V 3.6A | 当前型号 |
| 型号： IXTP4N80P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220 N-Channel 800V 4A | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXTP4N80P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 3 ohm, 10 V, 5.5 V | IXFA3N80和IXTP4N80P的区别 |
| 型号： IXTA4N80P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 N-CH 800V 3.6A | 功能相似 | D2PAK N-CH 800V 3.6A | IXFA3N80和IXTA4N80P的区别 |