IXFX25N90

IXYS Semiconductor 分立器件

PLUS N-CH 900V 25A

N-Channel 900V 25A Tc 560W Tc Through Hole PLUS247™-3

得捷:
MOSFET N-CH 900V 25A PLUS247-3

贸泽:
MOSFET 25 Amps 900V 0.33 Rds

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 25A 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXFX25N90中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 330 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 560 W

漏源极电压Vds 900 V

漏源击穿电压 900 V

连续漏极电流Ids 25A

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 10800pF @25VVds

下降时间 24 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 560W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.34 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFX25N90引脚图与封装图

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替代型号IXFX25N90

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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