IXFK33N50
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 416 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 33A
上升时间 42 ns
输入电容Ciss 5700pF @25VVds
额定功率Max 416 W
下降时间 23 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 416W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
封装 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free