IXFZ520N075T2
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
耗散功率 600W Tc
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 75 V
上升时间 36 ns
输入电容Ciss 41000pF @25VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 DE-475
宽度 21.08 mm
封装 DE-475
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXFZ520N075T2 | IXYS Semiconductor | Mosfet n-Ch 75V 465A De-475 | 搜索库存 |