IXFZ140N25T
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFZ140N25T中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 445W Tc
漏源极电压Vds 250 V
连续漏极电流Ids 100A
输入电容Ciss 19000pF @25VVds
耗散功率Max 445W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DE-475
外形尺寸
封装 DE-475
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFZ140N25T引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFZ140N25T | IXYS Semiconductor | DE-475 N-CH 250V 100A | 搜索库存 |