IXKC40N60C
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXKC40N60C中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 -
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 4800pF @25VVds
下降时间 4.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXKC40N60C引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXKC40N60C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXKC40N60C | IXYS Semiconductor | N-Channel 600V 28A 95mΩ Through Hole CoolMOS Power Mosfet - ISOPLUS-220 | 搜索库存 |
替代型号IXKC40N60C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXKC40N60C 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 | 当前型号 | N-Channel 600V 28A 95mΩ Through Hole CoolMOS Power Mosfet - ISOPLUS-220 | 当前型号 |
| 型号： FQP17P06 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 | 功能相似 | FQP17P06 系列 60 V 0.12 Ohm 通孔 P沟道 Mosfet - TO-220-3 | IXKC40N60C和FQP17P06的区别 |
| 型号： FQP33N10 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 | 功能相似 | ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP33N10, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装 | IXKC40N60C和FQP33N10的区别 |
| 型号： FDP18N50 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 | 功能相似 | FDP18N50 系列 500 V 265 mOhm 法兰安装 N沟道 MOSFET - TO-220-3 | IXKC40N60C和FDP18N50的区别 |
