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IXFH44N50Q3

IXFH44N50Q3

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IXYS Semiconductor 分立器件

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列

HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。

快速本质整流器二极管

低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷）

低本质栅极电阻

工业标准封装

低封装电感

高功率密度

### MOSFET ，IXYS

IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备


得捷:
MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD


欧时:
### N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备


贸泽:
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin3+Tab TO-247


DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 44A TO-247


IXFH44N50Q3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

耗散功率 830 W

漏源极电压Vds 500 V

上升时间 250 ns

输入电容Ciss 4800pF @25VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 830W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 16.26 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFH44N50Q3引脚图与封装图
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在线购买IXFH44N50Q3
型号 制造商 描述 购买
IXFH44N50Q3 IXYS Semiconductor N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列 HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。 快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 搜索库存
替代型号IXFH44N50Q3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IXFH44N50Q3

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-247-3

当前型号

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

当前型号

型号： IXFH44N50P

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-247 N-Channel 500V 44A 140mΩ 5.44nF

类似代替

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH44N50P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 44 A, 500 V, 140 mohm, 10 V, 5 V

IXFH44N50Q3和IXFH44N50P的区别

型号： IXFK44N50P

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-264 N-Channel 500V 44A 140mΩ 5.44nF

功能相似

N沟道 500V 44A

IXFH44N50Q3和IXFK44N50P的区别

型号： IXFT44N50P

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-268 N-Channel 500V 44A 140mΩ 5.44nF

功能相似

Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3Pin2+Tab TO-268AA

IXFH44N50Q3和IXFT44N50P的区别