IXFB210N20P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFB210N20P中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1500W Tc
漏源极电压Vds 200 V
输入电容Ciss 18600pF @25VVds
耗散功率Max 1500W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-264-3
外形尺寸
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFB210N20P引脚图与封装图
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