IXFK60N25Q
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFK60N25Q中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 360 W
漏源极电压Vds 250 V
连续漏极电流Ids 60A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 5100pF @25VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-264-3
外形尺寸
长度 19.96 mm
宽度 5.13 mm
高度 26.16 mm
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFK60N25Q引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXFK60N25Q
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFK60N25Q | IXYS Semiconductor | TO-264AA N-CH 250V 60A | 搜索库存 |
替代型号IXFK60N25Q
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFK60N25Q 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 N-CH 250V 60A | 当前型号 | TO-264AA N-CH 250V 60A | 当前型号 |
| 型号： IXTK62N25 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 250V 62A 3Pin3+Tab TO-264 | IXFK60N25Q和IXTK62N25的区别 |
| 型号： IXFH60N25Q 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3Pin3+Tab TO-247AD | IXFK60N25Q和IXFH60N25Q的区别 |
| 型号： IXTT64N25P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-2 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3Pin2+Tab TO-268 | IXFK60N25Q和IXTT64N25P的区别 |