IXFT14N100

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans MOSFET N-CH 1kV 14A 3Pin2+Tab TO-268

N-Channel 1000V 14A Tc 360W Tc Surface Mount TO-268

得捷:
MOSFET N-CH 1000V 14A TO268

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin2+Tab TO-268

IXFT14N100中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 360W Tc

漏源极电压Vds 1000 V

输入电容Ciss 4500pF @25VVds

耗散功率Max 360W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFT14N100引脚图与封装图

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