IXFR24N50Q
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFR24N50Q中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
耗散功率 250 W
漏源极电压Vds 500 V
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 3900pF @25VVds
额定功率Max 250 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFR24N50Q引脚图与封装图
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在线购买IXFR24N50Q
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFR24N50Q | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247 | 搜索库存 |
替代型号IXFR24N50Q
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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