IXTU01N100
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 100 mA
极性 N-CH
耗散功率 25 W
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 100 mA
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 54pF @25VVds
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
封装 TO-251-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXTU01N100 | IXYS Semiconductor | TO-251AA N-CH 1000V 0.1A | 搜索库存 |