IXTK120N20P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTK120N20P中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 714W Tc
漏源极电压Vds 200 V
输入电容Ciss 6000pF @25VVds
额定功率Max 714 W
耗散功率Max 714W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-264-3
外形尺寸
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTK120N20P引脚图与封装图
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在线购买IXTK120N20P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTK120N20P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 120A 3Pin3+Tab TO-264 | 搜索库存 |
替代型号IXTK120N20P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTK120N20P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 200V 120A 3Pin3+Tab TO-264 | 当前型号 |
| 型号： IXFK120N20P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 | 完全替代 | N沟道 200V 120A | IXTK120N20P和IXFK120N20P的区别 |
| 型号： IXFH120N20P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-Channel 120A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXTK120N20P和IXFH120N20P的区别 |
| 型号： IXTQ120N20P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 200V 120A 3Pin3+Tab TO-3P | IXTK120N20P和IXTQ120N20P的区别 |