IXTR36P15P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
耗散功率 150W Tc
漏源极电压Vds 150 V
输入电容Ciss 2950pF @25VVds
额定功率Max 150 W
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXTR36P15P | IXYS Semiconductor | Mosfet p-Ch 150V 22A Isoplus247 | 搜索库存 |