IXTR210P10T
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTR210P10T中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 8 mΩ
耗散功率 595W Tc
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
输入电容Ciss 69500pF @25VVds
耗散功率Max 595W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTR210P10T引脚图与封装图
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