IXTH96P085T
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTH96P085T中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 298 W
漏源极电压Vds 85 V
连续漏极电流Ids 96A
上升时间 34 ns
输入电容Ciss 13100pF @25VVds
额定功率Max 298 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 298W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTH96P085T引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTH96P085T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTH96P085T | IXYS Semiconductor | TO-247P-CH 85V 96A | 搜索库存 |
替代型号IXTH96P085T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTH96P085T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 P-CH 85V 96A | 当前型号 | TO-247P-CH 85V 96A | 当前型号 |
| 型号： IXTA96P085T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-263-3 P-CH 85V 96A | 完全替代 | TO-263AA P-CH 85V 96A | IXTH96P085T和IXTA96P085T的区别 |
| 型号： IXTP96P085T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 P-CH 85V 96A | 完全替代 | IXTP 系列 单通道 P 沟道 85 V 13 mOhm 298 W 功率 MosFet - TO-220AB | IXTH96P085T和IXTP96P085T的区别 |