IXKH70N60C5
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXKH70N60C5中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 45 mΩ
耗散功率 625 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 6800pF @100VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXKH70N60C5引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IXKH70N60C5 | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 70A 3Pin3+Tab TO-247AD | 搜索库存 |