通道数 1
漏源极电阻 33 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 350 W
阈值电压 5.5 V
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
连续漏极电流Ids 62A
上升时间 38 ns
输入电容Ciss 2250pF @25VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 350W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 9.65 mm
宽度 10.41 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXTA62N15P | IXYS Semiconductor | D2PAK N-CH 150V 62A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXTA62N15P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-252-3 N-CH 150V 62A | 当前型号 | D2PAK N-CH 150V 62A | 当前型号 | |
型号: IXTP62N15P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-220-3 N-Channel 150V 62A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXTA62N15P和IXTP62N15P的区别 | |
型号: IXTQ62N15P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO N-CH 150V 62A | 功能相似 | 150V 62A PolarHT N沟道 功率 Mosfet TO-3P | IXTA62N15P和IXTQ62N15P的区别 | |
型号: 2SK3592-01SJ 品牌: 富士电机 封装: | 功能相似 | N-CH 150V 57A | IXTA62N15P和2SK3592-01SJ的区别 |