IXTH2R4N120P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTH2R4N120P中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 125W Tc
漏源极电压Vds 1200 V
连续漏极电流Ids 2.4A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 1207pF @25VVds
下降时间 32 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTH2R4N120P引脚图与封装图
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在线购买IXTH2R4N120P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTH2R4N120P | IXYS Semiconductor | TO-247 N-CH 1200V 2.4A | 搜索库存 |
替代型号IXTH2R4N120P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTH2R4N120P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 1200V 2.4A | 当前型号 | TO-247 N-CH 1200V 2.4A | 当前型号 |
| 型号： IXTA2R4N120P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 N-CH 1200V 2.4A | 功能相似 | N沟道 1.2kV 2.4A | IXTH2R4N120P和IXTA2R4N120P的区别 |
| 型号： IXTP2R4N120P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 N-CH 1200V 2.4A | 功能相似 | TO-220 N-CH 1200V 2.4A | IXTH2R4N120P和IXTP2R4N120P的区别 |