IXTN17N120L

IXYS Semiconductor 分立器件

IXTN 系列单通道 N 沟道 1200 V 900 mOhm 540 W 功率 Mosfet - SOT-227B

底座安装 N 通道 1200 V 15A（Tc） 540W（Tc） SOT-227B

立创商城:
N沟道 1.2kV 15A

得捷:
MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B

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Trans MOSFET N-CH 1.2KV 15A 4-Pin SOT-227B

IXTN17N120L中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 540W Tc

漏源极电压Vds 1200 V

连续漏极电流Ids 15A

上升时间 31 ns

输入电容Ciss 8300pF @25VVds

额定功率Max 540 W

下降时间 83 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 540W Tc

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTN17N120L引脚图与封装图

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