
极性 N-CH
耗散功率 480W Tc
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 24A
输入电容Ciss 2890pF @25VVds
耗散功率Max 480W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXTA460P2 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-263AA-3 N-CH 500V 24A | 当前型号 | N沟道 500V 24A | 当前型号 | |
型号: IXTH460P2 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 N-CH 500V 24A | 类似代替 | TO-247 N-CH 500V 24A | IXTA460P2和IXTH460P2的区别 | |
型号: IXTP460P2 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-220-3 | 类似代替 | Mosfet n-Ch 500V 24A To-220 | IXTA460P2和IXTP460P2的区别 | |
型号: IXFQ24N50P2 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO N-CH 500V 24A | 类似代替 | TO-3P N-CH 500V 24A | IXTA460P2和IXFQ24N50P2的区别 |