IXFB150N65X2
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IXYS Semiconductor
分立器件
通道数 1
漏源极电阻 17 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 1560 W
阈值电压 2.7 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 150A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 20400pF @25VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1560W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
封装 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXFB150N65X2 | IXYS Semiconductor | PLUS N-CH 650V 150A | 搜索库存 |