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IXFB150N65X2

IXFB150N65X2

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

PLUS N-CH 650V 150A

N-Channel 650V 150A Tc 1560W Tc Through Hole PLUS264™


得捷:
MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264


贸泽:
MOSFET MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin3+Tab PLUS 264


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 150A; 1560W; PLUS264; 190ns


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin3+Tab PLUS 264


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264 / N-Channel 650 V 150A Tc 1560W Tc Through Hole PLUS264™


IXFB150N65X2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 17 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 1560 W

阈值电压 2.7 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 150A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 20400pF @25VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1560W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFB150N65X2引脚图与封装图
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