IXTA180N10T7
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTA180N10T7中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 480 W
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 54 ns
输入电容Ciss 6900pF @25VVds
额定功率Max 480 W
下降时间 31 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 480W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 TO-263-7
外形尺寸
封装 TO-263-7
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTA180N10T7引脚图与封装图
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在线购买IXTA180N10T7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTA180N10T7 | IXYS Semiconductor | IXTA Series Single N-Channel 100V 6.4mOhm 480W Power Mosfet - TO-263 | 搜索库存 |
替代型号IXTA180N10T7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTA180N10T7 品牌： IXYS Semiconductor 封装： D²Pak | 当前型号 | IXTA Series Single N-Channel 100V 6.4mOhm 480W Power Mosfet - TO-263 | 当前型号 |
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| 型号： IXTA180N10T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-263-3 N-CH 100V 180A | 功能相似 | N沟道 100V 180A | IXTA180N10T7和IXTA180N10T的区别 |
| 型号： IXTH180N10T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 100V 180A | 功能相似 | N沟道 100V 180A | IXTA180N10T7和IXTH180N10T的区别 |