IXTQ130N10T
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTQ130N10T中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 360W Tc
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 47 ns
输入电容Ciss 5080pF @25VVds
额定功率Max 360 W
下降时间 28 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTQ130N10T引脚图与封装图
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在线购买IXTQ130N10T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTQ130N10T | IXYS Semiconductor | N沟道 100V 130A | 搜索库存 |
替代型号IXTQ130N10T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTQ130N10T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-3P-3 | 当前型号 | N沟道 100V 130A | 当前型号 |
| 型号： IXTH130N10T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-CH 100V 130A | 完全替代 | TO-247 N-CH 100V 130A | IXTQ130N10T和IXTH130N10T的区别 |
| 型号： IXTP130N10T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220 N-Channel 100V 130A 8.5mΩ | 完全替代 | 通孔 N 通道 100V 130A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB | IXTQ130N10T和IXTP130N10T的区别 |
| 型号： IXFP130N10T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 N-CH 100V 130A | 类似代替 | TO-220 N-CH 100V 130A | IXTQ130N10T和IXFP130N10T的区别 |