IXTK120N25
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
通道数 1
漏源极电阻 20 mΩ
耗散功率 730 W
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
上升时间 38 ns
输入电容Ciss 7700pF @25VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 730W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
长度 19.96 mm
宽度 5.13 mm
高度 26.16 mm
封装 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXTK120N25 | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 120A 3Pin3+Tab TO-264AA | 搜索库存 |