极性 N-CH
耗散功率 360W Tc
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 15A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 4500pF @25VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXFH15N100Q | IXYS Semiconductor | TO-247AD N-CH 1000V 15A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXFH15N100Q 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247AD N-CH 1000V 15A | 当前型号 | TO-247AD N-CH 1000V 15A | 当前型号 | |
型号: IXFH15N100Q3 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 N-CH 1000V 15A | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXFH15N100Q和IXFH15N100Q3的区别 | |
型号: IXFT15N100Q 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-268-2 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 1kV 15A 3Pin2+Tab TO-268 | IXFH15N100Q和IXFT15N100Q的区别 | |
型号: IXFT15N100 品牌: IXYS Semiconductor 封装: | 功能相似 | TO-268 N-CH 1000V 15A | IXFH15N100Q和IXFT15N100的区别 |