IXTA130N10T-TRL
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTA130N10T-TRL中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 360W Tc
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 5080pF @25VVds
耗散功率Max 360W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTA130N10T-TRL引脚图与封装图
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在线购买IXTA130N10T-TRL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTA130N10T-TRL | IXYS Semiconductor | Mosfet n-Ch 100V 130A To263 | 搜索库存 |
替代型号IXTA130N10T-TRL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTA130N10T-TRL 品牌： IXYS Semiconductor 封装： | 当前型号 | Mosfet n-Ch 100V 130A To263 | 当前型号 |
| 型号： IXTA130N10T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-263-3 | 类似代替 | N沟道 100V 130A | IXTA130N10T-TRL和IXTA130N10T的区别 |