IXFR52N30Q
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFR52N30Q中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 -
漏源极电压Vds 300 V
漏源击穿电压 300 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFR52N30Q引脚图与封装图
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| IXFR52N30Q | IXYS Semiconductor | MOSFET 52A 300V | 搜索库存 |