IXTH130N10T
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTH130N10T中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 360W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 130A
上升时间 47 ns
输入电容Ciss 5080pF @25VVds
下降时间 28 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTH130N10T引脚图与封装图
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在线购买IXTH130N10T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTH130N10T | IXYS Semiconductor | TO-247 N-CH 100V 130A | 搜索库存 |
替代型号IXTH130N10T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTH130N10T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-CH 100V 130A | 当前型号 | TO-247 N-CH 100V 130A | 当前型号 |
| 型号： IXTQ130N10T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-3P-3 | 完全替代 | N沟道 100V 130A | IXTH130N10T和IXTQ130N10T的区别 |
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