IXTH12N100
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTH12N100中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 33 ns
输入电容Ciss 4000pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 32 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTH12N100引脚图与封装图
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| IXTH12N100 | IXYS Semiconductor | TO-247AD N-CH 1000V 12A | 搜索库存 |