IXFP3N80

IXYS Semiconductor 分立器件

TO-220 N-CH 800V 3.6A

N-Channel 800V 3.6A Tc 100W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 3.6A 3-Pin3+Tab TO-220

IXFP3N80中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 100W Tc

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 3.6A

输入电容Ciss 685pF @25VVds

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFP3N80引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IXFP3N80

型号	制造商	描述	购买
IXFP3N80	IXYS Semiconductor	TO-220 N-CH 800V 3.6A	搜索库存

替代型号IXFP3N80

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： IXFP3N80 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 N-CH 800V 3.6A	当前型号	TO-220 N-CH 800V 3.6A	当前型号
型号： SPA04N80C3 品牌：英飞凌封装： TO-220 N-Channel 800V 4A	功能相似	INFINEON SPA04N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V	IXFP3N80和SPA04N80C3的区别
型号： FQP33N10 品牌：安森美封装： TO-220-3	功能相似	ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP33N10, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装	IXFP3N80和FQP33N10的区别
型号： FDP18N50 品牌：安森美封装： TO-220-3	功能相似	FDP18N50 系列 500 V 265 mOhm 法兰安装 N沟道 MOSFET - TO-220-3	IXFP3N80和FDP18N50的区别