IXTT16N10D2

IXYS Semiconductor 分立器件

TO-268 N-CH 100V 16A

表面贴装型 N 通道 100 V 16A（Tc） 830W（Tc） TO-268

得捷:
MOSFET N-CH 100V 16A TO268

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 3-Pin2+Tab TO-268

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin2+Tab TO-268

IXTT16N10D2中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 830 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 16A

上升时间 43 ns

输入电容Ciss 5700pF @25VVds

额定功率Max 695 W

下降时间 70 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 830W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTT16N10D2引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IXTT16N10D2

型号	制造商	描述	购买
IXTT16N10D2	IXYS Semiconductor	TO-268 N-CH 100V 16A	搜索库存