IXFR38N80Q2
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
通道数 1
耗散功率 416W Tc
漏源极电压Vds 800 V
输入电容Ciss 8340pF @25VVds
耗散功率Max 416W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
宽度 5.21 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXFR38N80Q2 | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 28A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247 | 搜索库存 |