IXKN75N60C
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXKN75N60C中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 560W Tc
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 75A
上升时间 30 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 560W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXKN75N60C引脚图与封装图
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在线购买IXKN75N60C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXKN75N60C | IXYS Semiconductor | SOT-227B N-CH 600V 75A | 搜索库存 |
替代型号IXKN75N60C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXKN75N60C 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227-4 N-CH 600V 75A | 当前型号 | SOT-227B N-CH 600V 75A | 当前型号 |
| 型号： IXFN70N60Q2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227 | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 600V 70A 4Pin SOT-227B | IXKN75N60C和IXFN70N60Q2的区别 |
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