IXKP35N60C5
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXKP35N60C5中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 -
漏源极电压Vds 600 V
输入电容Ciss 2800pF @100VVds
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXKP35N60C5引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IXKP35N60C5 | IXYS Semiconductor | Mosfet n-Ch 600V 35A To-220ab | 搜索库存 |