IXFK78N50P3
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFK78N50P3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.068 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.13 kW
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 78A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 9900pF @25VVds
额定功率Max 1130 W
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1130W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
长度 19.96 mm
宽度 5.13 mm
高度 26.16 mm
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2016/06/20
IXFK78N50P3引脚图与封装图
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在线购买IXFK78N50P3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFK78N50P3 | IXYS Semiconductor | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列 一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™ | 搜索库存 |
替代型号IXFK78N50P3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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