IXTH16N50D2
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IXYS Semiconductor
分立器件
通道数 1
漏源极电阻 300 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 695 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
上升时间 173 ns
输入电容Ciss 5250pF @25VVds
额定功率Max 695 W
下降时间 220 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 695W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXTH16N50D2 | IXYS Semiconductor | N沟道 500V 16A | 搜索库存 |