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IXTH16N50D2

IXTH16N50D2

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

N沟道 500V 16A

通孔 N 通道 500 V 16A(Tc) 695W(Tc) TO-247-3


得捷:
MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3


立创商城:
N沟道 500V 16A


贸泽:
MOSFET N-CH 500V 16A MOSFET


艾睿:
Thanks to Ixys Corporation, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the IXTH16N50D2 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 695000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin3+Tab TO-247


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 16A TO-247


IXTH16N50D2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 300 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 695 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

上升时间 173 ns

输入电容Ciss 5250pF @25VVds

额定功率Max 695 W

下降时间 220 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 695W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTH16N50D2引脚图与封装图
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