IXTP32N65XM

IXYS Semiconductor 分立器件

OVERMOLDED N-CH 650V 14A

N-Channel 650V 14A Tc 78W Tc Through Hole TO-220-3

得捷:
MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3

贸泽:
MOSFET 650V/9A Power MOSFET

IXTP32N65XM中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 78 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 14A

上升时间 49 ns

输入电容Ciss 2206pF @25VVds

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 78W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IXTP32N65XM引脚图与封装图

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