IXTP5N60P

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3Pin3+Tab TO-220

N-Channel 600V 5A Tc 100W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin3+Tab TO-220

Win Source:
PolarHVTM Power MOSFET

IXTP5N60P中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 5.00 A

耗散功率 100W Tc

输入电容 750 pF

栅电荷 14.2 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

上升时间 24 ns

输入电容Ciss 750pF @25VVds

下降时间 17 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTP5N60P引脚图与封装图

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