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IXTA110N055P

IXTA110N055P

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

D2PAK N-CH 55V 110A

N-Channel 55V 110A Tc 390W Tc Surface Mount TO-263 IXTA


得捷:
MOSFET N-CH 55V 110A TO263


贸泽:
MOSFET 110 Amps 55V 0.0135 Rds


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin2+Tab D2PAK


IXTA110N055P中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 13.5 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 390 W

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 110A

上升时间 53 ns

输入电容Ciss 2210pF @25VVds

下降时间 45 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 390W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 9.9 mm

宽度 9.2 mm

高度 4.5 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTA110N055P引脚图与封装图
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