IXFN32N100P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFN32N100P中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 690 W
漏源极电压Vds 1000 V
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 14200pF @25VVds
额定功率Max 690 W
下降时间 43 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 690W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFN32N100P引脚图与封装图
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在线购买IXFN32N100P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFN32N100P | IXYS Semiconductor | IXFN32 系列 N 沟道 1000 V 27 A 320 mOhm Mosfet - SOT-227B | 搜索库存 |
替代型号IXFN32N100P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFN32N100P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT | 当前型号 | IXFN32 系列 N 沟道 1000 V 27 A 320 mOhm Mosfet - SOT-227B | 当前型号 |
| 型号： IXFN32N100Q3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227-4 N-CH 1000V 28A | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXFN32N100P和IXFN32N100Q3的区别 |