IXTN21N100
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTN21N100中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 21.0 A
额定功率 520 W
极性 N-Channel
耗散功率 520W Tc
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 21.0 A
上升时间 50.0 ns
输入电容Ciss 8400pF @25VVds
额定功率Max 520 W
耗散功率Max 520W Tc
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 3
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTN21N100引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTN21N100
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTN21N100 | IXYS Semiconductor | SOT-227B N-CH 1000V 21A | 搜索库存 |
替代型号IXTN21N100
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTN21N100 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227-4 N-Channel 1kV 21A | 当前型号 | SOT-227B N-CH 1000V 21A | 当前型号 |
| 型号： APT10035JLL 品牌： 美高森美 封装： SOT-227 1kV 25A 5.18nF | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 1kV 25A 4Pin SOT-227 | IXTN21N100和APT10035JLL的区别 |
| 型号： APT21M100J 品牌： 美高森美 封装： SOT-227 1kV 21A 8.5nF | 功能相似 | N沟道MOSFET N-Channel MOSFET | IXTN21N100和APT21M100J的区别 |
| 型号： APT10035JFLL 品牌： 美高森美 封装： SOT-227 N-CH 1kV 25A 5.18nF | 功能相似 | SOT-227 N-CH 1000V 25A | IXTN21N100和APT10035JFLL的区别 |