IXTU2N80P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTU2N80P中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 6 Ω
耗散功率 70 W
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 440pF @25VVds
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTU2N80P引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IXTU2N80P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTU2N80P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-251AA-3 | 当前型号 | MOSFET N-CH TO-251 | 当前型号 |
| 型号： IXTY2N80P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 N-CH 800V 2A | 类似代替 | DPAK N-CH 800V 2A | IXTU2N80P和IXTY2N80P的区别 |
| 型号： IXTP2N80P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3Pin3+Tab TO-220 | IXTU2N80P和IXTP2N80P的区别 |
| 型号： IXTA2N80P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 | 功能相似 | MOSFET N-CH 800V 2A TO-263 | IXTU2N80P和IXTA2N80P的区别 |