IXFN44N100P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFN44N100P中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 220 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 890 W
阈值电压 6.5 V
漏源极电压Vds 1000 V
漏源击穿电压 1000 V
连续漏极电流Ids 37A
上升时间 68 ns
输入电容Ciss 19000pF @25VVds
下降时间 54 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 890W Tc
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
高度 12.22 mm
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFN44N100P引脚图与封装图
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在线购买IXFN44N100P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFN44N100P | IXYS Semiconductor | IXFN 系列 单 N 沟道 1000 Vds 220 mOhm 890 W 功率 Mosfet - SOT-227B | 搜索库存 |
替代型号IXFN44N100P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFN44N100P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227 N-CH 1000V 37A | 当前型号 | IXFN 系列 单 N 沟道 1000 Vds 220 mOhm 890 W 功率 Mosfet - SOT-227B | 当前型号 |
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