IXTR62N15P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTR62N15P中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 150W Tc
漏源极电压Vds 150 V
输入电容Ciss 2250pF @25VVds
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTR62N15P引脚图与封装图
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在线购买IXTR62N15P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTR62N15P | IXYS Semiconductor | MOSFET 62A 150V 0.045 Rds | 搜索库存 |
替代型号IXTR62N15P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTR62N15P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 当前型号 | MOSFET 62A 150V 0.045 Rds | 当前型号 |
| 型号： IXTC62N15P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： | 类似代替 | Mosfet n-Ch Isoplus-220 | IXTR62N15P和IXTC62N15P的区别 |
| 型号： TC62 品牌： IXYS Semiconductor 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 36A ID, 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS220, 3 PIN | IXTR62N15P和TC62的区别 |