IXFK94N50P2
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFK94N50P2中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1300 W
漏源极电压Vds 500 V
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 13700pF @25VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFK94N50P2引脚图与封装图
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在线购买IXFK94N50P2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFK94N50P2 | IXYS Semiconductor | N沟道 500V 94A | 搜索库存 |
替代型号IXFK94N50P2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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| 型号： IXFX98N50P3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-Channel 500V 98A | 功能相似 | MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXFK94N50P2和IXFX98N50P3的区别 |
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