IXFX64N60P3
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFX64N60P3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
耗散功率 1130W Tc
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 9900pF @25VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1130W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFX64N60P3引脚图与封装图
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在线购买IXFX64N60P3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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替代型号IXFX64N60P3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFX64N60P3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 当前型号 | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | 当前型号 |
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| 型号： IXFK64N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264 N-Channel 600V 64A 96mΩ 1.15nF | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFK64N60P 功率场效应管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 64 A, 600 V, 96 mohm, 10 V, 5 V | IXFX64N60P3和IXFK64N60P的区别 |