IXTP2N60P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTP2N60P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 2.00 A
通道数 1
漏源极电阻 5.1 Ω
耗散功率 56 W
阈值电压 5 V
输入电容 240 pF
栅电荷 7.00 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 240pF @25VVds
下降时间 23 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 55W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
高度 16 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IXTP2N60P引脚图与封装图
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